不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3520pF @ 25V
Vgs(最大值):±25V
功率耗散(最大值):1.56W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):13 毫欧 @ 11.7A,10V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PG-DSO-8
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 140µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):81nC @ 10V
安装风格:SMD/SMT
通道数量:1Channel
晶体管极性:P-Channel
Id-连续漏极电流:11.3A
Rds On-漏源导通电阻:13mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:25V
Qg-栅极电荷:-61nC
最小工作温度:-55C
最大工作温度:+150C
配置:Single
Pd-功率耗散:2.36W
通道模式:Enhancement
商标名:OptiMOS
封装:CutTape
高度:1.75mm
长度:4.9mm
系列:OptiMOSP
晶体管类型:1P-Channel
宽度:3.9mm
正向跨导 - 最小值:27S
下降时间:62ns
上升时间:16ns
典型关闭延迟时间:70ns
典型接通延迟时间:13ns
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs